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原標題：三星晶元或直接升至3mm工藝 以和台積電競爭 來源：手機新浪網

據外媒報導，近日三星更新了他們的晶元工藝線路圖，其中三星在晶元工藝上將會跳過4nm製程工藝，直接從5nm製程工藝提升至3nm製程工藝。

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台積電近幾年一直走在行業前列，除了7nm和5nm工藝都是率先量產，他們還獲得了大量的其他企業的代工合同。三星現在直接進行3nm工藝研發，就是為了縮小與台積電的差距，甚至實現超越。

而台積電的3nm工藝，在公司創始人張忠謀退休前就已開始謀划，在他退休前8個月的一次採訪中，就談到3nm工廠，當時他透露採用3nm工藝的晶元製造工廠計劃在2022年建成，保守估計建成時可能會花費150億美元，最終可能會達到200億美元。

按照5月份時候的計劃，三星將會從8月份開始批量生產5nm Exynos晶元，同時他們還會繼續改進已經推出的7nm晶元Exynos 990。

消息人士透露，三星已經完成了基於5nm EUV工藝的下一代Exynos SoC批量生產所需的所有準備工作。三星的晶元部門還在等待，等待有關是否要用在Galaxy Note 20系列中的決定。

另外，三星從今年2月份開始就已經在批量生產用於移動設備的16GB LPDDR5 DRAM晶元。這些晶元已經用在了三星Galaxy S20 Ultra 5G版身上。近期，三星增加了這款晶元的產量，因此有理由相信將會運用在三星Galaxy Note20系列身上。

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